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Casa > Productos > Circuitos integrados (ICS) > Memoria > S34ML04G200BHI903
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1957112Imagen S34ML04G200BHI903Cypress Semiconductor

S34ML04G200BHI903

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Especificaciones
  • Número de pieza
    S34ML04G200BHI903
  • Fabricante / Marca
    Cypress Semiconductor
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    IC FLASH 4G PARALLEL 63BGA
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    S34ML04G200BHI903.pdf
  • Escribir tiempo de ciclo - Word, Página
    25ns
  • Suministro de voltaje
    2.7 V ~ 3.6 V
  • Tecnología
    FLASH - NAND
  • Paquete del dispositivo
    63-BGA (11x9)
  • Serie
    ML-2
  • embalaje
    Tape & Reel (TR)
  • Paquete / Cubierta
    63-VFBGA
  • Temperatura de funcionamiento
    -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Tipo de memoria
    Non-Volatile
  • Tamaño de la memoria
    4Gb (512M x 8)
  • Interfaz de memoria
    Parallel
  • Formato de memoria
    FLASH
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Descripción detallada
    FLASH - NAND Memory IC 4Gb (512M x 8) Parallel 63-BGA (11x9)

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