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434781Imagen S34MS04G200BHI900Cypress Semiconductor

S34MS04G200BHI900

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Especificaciones
  • Número de pieza
    S34MS04G200BHI900
  • Fabricante / Marca
    Cypress Semiconductor
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    IC FLASH 4G PARALLEL 63BGA
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    S34MS04G200BHI900.pdf
  • Escribir tiempo de ciclo - Word, Página
    45ns
  • Suministro de voltaje
    1.7 V ~ 1.95 V
  • Tecnología
    FLASH - NAND
  • Paquete del dispositivo
    63-BGA (11x9)
  • Serie
    MS-2
  • embalaje
    Tray
  • Paquete / Cubierta
    63-VFBGA
  • Temperatura de funcionamiento
    -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Tipo de memoria
    Non-Volatile
  • Tamaño de la memoria
    4Gb (512M x 8)
  • Interfaz de memoria
    Parallel
  • Formato de memoria
    FLASH
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Descripción detallada
    FLASH - NAND Memory IC 4Gb (512M x 8) Parallel 45ns 63-BGA (11x9)
  • Tiempo de acceso
    45ns

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Descripción: IC FLASH 4G PARALLEL 63BGA

Fabricantes: Cypress Semiconductor
Existencias disponibles
RFQ
S34MS04G200BHV000

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Descripción: IC FLASH 4G PARALLEL 63BGA

Fabricantes: Cypress Semiconductor
Existencias disponibles
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S34MS04G100TFB003

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Descripción: IC FLASH 4G PARALLEL 48TSOP I

Fabricantes: Cypress Semiconductor
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Descripción: IC FLASH 4G PARALLEL 63BGA

Fabricantes: Cypress Semiconductor
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Descripción: IC FLASH 4G PARALLEL TSOP

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Descripción: IC FLASH 4G PARALLEL 63BGA

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Descripción: IC FLASH 4G PARALLEL 63BGA

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Fabricantes: Cypress Semiconductor
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Descripción: IC FLASH 4G PARALLEL 48TSOP I

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Descripción: IC FLASH 4G PARALLEL

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Descripción: IC FLASH 4G PARALLEL 63BGA

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Descripción: IC FLASH 4G PARALLEL

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Descripción: IC FLASH 4G PARALLEL 48TSOP I

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Descripción: NAND

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