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7016342Imagen BSS123-7Diodes Incorporated

BSS123-7

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Especificaciones
  • Número de pieza
    BSS123-7
  • Fabricante / Marca
    Diodes Incorporated
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Contiene plomo / RoHS no conforme
  • Especificaciones
    BSS123-7.pdf
  • VGS (th) (Max) @Id
    2V @ 1mA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tecnología
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Paquete del dispositivo
    SOT-23-3
  • Serie
    -
  • RDS (Max) @Id, Vgs
    6 Ohm @ 170mA, 10V
  • La disipación de energía (máximo)
    300mW (Ta)
  • embalaje
    Tape & Reel (TR)
  • Paquete / Cubierta
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Otros nombres
    BSS123DITR
  • Temperatura de funcionamiento
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
    60pF @ 25V
  • Tipo FET
    N-Channel
  • Característica de FET
    -
  • Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las
    100V
  • Descripción detallada
    N-Channel 100V 170mA (Ta) 300mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3
  • Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C
    170mA (Ta)

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Descripción: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3

Fabricantes: Diodes Incorporated
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Descripción: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23

Fabricantes: International Rectifier (Infineon Technologies)
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Descripción: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23

Fabricantes: International Rectifier (Infineon Technologies)
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Descripción: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23

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Descripción: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23

Fabricantes: International Rectifier (Infineon Technologies)
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