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Casa > Productos > Productos semiconductores discretos > Transistores-bipolar (BJT)-solo, presesgado > DDTC123JLP-7
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2347407Imagen DDTC123JLP-7Diodes Incorporated

DDTC123JLP-7

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Especificaciones
  • Número de pieza
    DDTC123JLP-7
  • Fabricante / Marca
    Diodes Incorporated
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    TRANS PREBIAS NPN 250MW 3DFN
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    DDTC123JLP-7.pdf
  • Tensión - Colector-emisor (máx)
    50V
  • VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic
    200mV @ 5mA, 50mA
  • Tipo de transistor
    NPN - Pre-Biased
  • Paquete del dispositivo
    3-DFN1006 (1.0x0.6)
  • Serie
    -
  • Resistor - Base del emisor (R2)
    47 kOhms
  • Resistor - Base (R1)
    2.2 kOhms
  • Potencia - Max
    250mW
  • embalaje
    Tape & Reel (TR)
  • Paquete / Cubierta
    3-XFDFN
  • Otros nombres
    DDTC123JLPDITR
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Frecuencia - Transición
    250MHz
  • Descripción detallada
    Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 250mW Surface Mount 3-DFN1006 (1.0x0.6)
  • DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce
    180 @ 50mA, 5V
  • Corriente - corte del colector (Max)
    500nA
  • Corriente - colector (Ic) (Max)
    100mA
  • Número de pieza base
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