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Casa > Productos > Circuitos integrados (ICS) > Conductores de la PMIC-puerta > DGD2108S8-13

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Imagen DGD2108S8-13

Diodes Incorporated

DGD2108S8-13

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Especificaciones

Número de pieza

DGD2108S8-13
Fabricante / Marca

Diodes Incorporated
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SO
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

DGD2108S8-13.pdf
Suministro de voltaje

10 V ~ 20 V
Paquete del dispositivo

8-SO
Serie

-
Tiempo de subida / bajada (típico)

100ns, 35ns
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Otros nombres

DGD2108S8-13DITR
Temperatura de funcionamiento

-40°C ~ 150°C (TJ)
estilo de la llave

2
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

3 (168 Hours)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

14 Weeks
Tensión lógica - VIL, VIH

0.6V, 2.5V
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Tipo de entrada

Non-Inverting
High Voltage - Máx (Bootstrap)

600V
Tipo de Puerta

IGBT, N-Channel MOSFET
Configuración impulsada

Half-Bridge
Descripción detallada

Half-Bridge Gate Driver IC Non-Inverting 8-SO
Corriente - Pico de salida (fuente, fregadero)

290mA, 600mA
Corriente de carga

Independent

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