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Casa > Productos > Productos semiconductores discretos > Transistores-FETs, MOSFETs-matrices > DI9952T
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1229236Imagen DI9952TDiodes Incorporated

DI9952T

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Especificaciones
  • Número de pieza
    DI9952T
  • Fabricante / Marca
    Diodes Incorporated
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    MOSFET N/P-CH 30V 2.9A 8-SOIC
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Contiene plomo / RoHS no conforme
  • VGS (th) (Max) @Id
    -
  • Paquete del dispositivo
    8-SOP
  • Serie
    -
  • RDS (Max) @Id, Vgs
    -
  • Potencia - Max
    2W
  • embalaje
    Tape & Reel (TR)
  • Paquete / Cubierta
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Otros nombres
    DI9952TR
  • Temperatura de funcionamiento
    -
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
    -
  • Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs
    -
  • Tipo FET
    N and P-Channel
  • Característica de FET
    Standard
  • Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las
    30V
  • Descripción detallada
    Mosfet Array N and P-Channel 30V 2.9A 2W Surface Mount 8-SOP
  • Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C
    2.9A
  • Número de pieza base
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