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Casa > Productos > Productos semiconductores discretos > Transistores-FETs, MOSFETs-matrices > DMC3026LSD-13

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Imagen DMC3026LSD-13

Diodes Incorporated

DMC3026LSD-13

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Especificaciones

Número de pieza

DMC3026LSD-13
Fabricante / Marca

Diodes Incorporated
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N/P-CH 30V 6.5A/6.2A 8SO
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

DMC3026LSD-13.pdf
VGS (th) (Max) @Id

3V @ 250µA
Paquete del dispositivo

8-SO
Serie

-
RDS (Max) @Id, Vgs

25 mOhm @ 6A, 10V
Potencia - Max

1.2W
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Otros nombres

DMC3026LSD-13DITR
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

641pF @ 15V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

13.2nC @ 10V
Tipo FET

N and P-Channel
Característica de FET

Logic Level Gate
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

30V
Descripción detallada

Mosfet Array N and P-Channel 30V 6.5A, 6.2A 1.2W Surface Mount 8-SO
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

6.5A, 6.2A

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