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833870Imagen DMG1012TQ-7Diodes Incorporated

DMG1012TQ-7

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Especificaciones
  • Número de pieza
    DMG1012TQ-7
  • Fabricante / Marca
    Diodes Incorporated
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    MOSFET NCH 20V 630MA SOT523
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    DMG1012TQ-7.pdf
  • VGS (th) (Max) @Id
    1V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±6V
  • Tecnología
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Paquete del dispositivo
    SOT-523
  • Serie
    Automotive, AEC-Q101
  • RDS (Max) @Id, Vgs
    400 mOhm @ 600mA, 4.5V
  • La disipación de energía (máximo)
    280mW (Ta)
  • embalaje
    Tape & Reel (TR)
  • Paquete / Cubierta
    SOT-523
  • Otros nombres
    DMG1012TQ-7-ND
    DMG1012TQ-7DITR
  • Temperatura de funcionamiento
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tiempo de entrega estándar del fabricante
    16 Weeks
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
    60.67pF @ 16V
  • Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs
    0.74nC @ 4.5V
  • Tipo FET
    N-Channel
  • Característica de FET
    -
  • Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)
    1.8V, 4.5V
  • Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las
    20V
  • Descripción detallada
    N-Channel 20V 630mA (Ta) 280mW (Ta) Surface Mount SOT-523
  • Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C
    630mA (Ta)

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