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1331069Imagen DMHC3025LSDQ-13Diodes Incorporated

DMHC3025LSDQ-13

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Especificaciones
  • Número de pieza
    DMHC3025LSDQ-13
  • Fabricante / Marca
    Diodes Incorporated
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    MOSFET 2N/2P-CH 30V 8SOIC
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    DMHC3025LSDQ-13.pdf
  • VGS (th) (Max) @Id
    2V @ 250µA
  • Paquete del dispositivo
    8-SO
  • Serie
    -
  • RDS (Max) @Id, Vgs
    25 mOhm @ 5A, 10V
  • Potencia - Max
    1.5W
  • embalaje
    Tape & Reel (TR)
  • Paquete / Cubierta
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Otros nombres
    DMHC3025LSDQ-13DITR
  • Temperatura de funcionamiento
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
    590pF @ 15V
  • Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs
    11.7nC @ 10V
  • Tipo FET
    2 N and 2 P-Channel (H-Bridge)
  • Característica de FET
    Standard
  • Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las
    30V
  • Descripción detallada
    Mosfet Array 2 N and 2 P-Channel (H-Bridge) 30V 6A, 4.2A 1.5W Surface Mount 8-SO
  • Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C
    6A, 4.2A

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DMHC4035LSDQ-13

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Fabricantes: Diodes Incorporated
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Descripción: SUPERCAPACITOR

Fabricantes: Murata Electronics
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Fabricantes: Bel
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Fabricantes: Diodes Incorporated
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Descripción: MOSFET 2N/2P-CHA 60V 3.1A 8SO

Fabricantes: Diodes Incorporated
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Fabricantes: Diodes Incorporated
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Descripción: MOSFET 2N/2P-CH 30V 8SO

Fabricantes: Diodes Incorporated
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Fabricantes: Bel
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Fabricantes: Bel
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Descripción: MOSFET 2N-CH 50V 0.28A SOT-563

Fabricantes: Diodes Incorporated
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Descripción: CONN BACKSHELL DB9 DIECAST STR

Fabricantes: Bel
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