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Casa > Productos > Productos semiconductores discretos > Transistores-FETs, MOSFETs-escoja > DMN3051LDM-7

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Imagen DMN3051LDM-7

Diodes Incorporated

DMN3051LDM-7

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Especificaciones

Número de pieza

DMN3051LDM-7
Fabricante / Marca

Diodes Incorporated
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 30V 4A SOT26
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

DMN3051LDM-7.pdf
VGS (th) (Max) @Id

2.2V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

SOT-26
Serie

-
RDS (Max) @Id, Vgs

38 mOhm @ 6A, 10V
La disipación de energía (máximo)

900mW (Ta)
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

SOT-23-6
Otros nombres

DMN3051LDM-7DI
DMN3051LDM-7DI-ND
DMN3051LDM-7DITR
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

20 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

424pF @ 5V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

8.6nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

30V
Descripción detallada

N-Channel 30V 4A (Ta) 900mW (Ta) Surface Mount SOT-26
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

4A (Ta)

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