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DMN3110LCP3-7

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Especificaciones

Número de pieza

DMN3110LCP3-7
Fabricante / Marca

Diodes Incorporated
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 30V 3.2A X2DFN1006-3
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

DMN3110LCP3-7.pdf
VGS (th) (Max) @Id

1.1V @ 250µA
Vgs (Max)

12V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

X2-DFN1006-3
Serie

-
RDS (Max) @Id, Vgs

69 mOhm @ 500mA, 8V
La disipación de energía (máximo)

1.38W
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

3-XFDFN
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Tiempo de entrega estándar del fabricante

8 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

150pF @ 15V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

1.52nC @ 4.5V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

1.8V, 8V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

30V
Descripción detallada

N-Channel 30V 3.2A (Ta) 1.38W Surface Mount X2-DFN1006-3
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

3.2A (Ta)

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