Para visitantes en ElectronicA 2024

¡Reserve su tiempo ahora!

Todo lo que se necesita es unos pocos clics para reservar su lugar y obtener el boleto de stand

Hall C5 Booth 220

Registro anticipado

*Nombre de la empresa
*Nombre
*Título

*Dirección de correo electrónico
*Número de teléfono

*País
*Ventana de contacto
*Fecha del evento

*Mensajes

Para visitantes en ElectronicA 2024

¡Están todos registrados! ¡Gracias por hacer una cita!
Le enviaremos los boletos de stand por correo electrónico una vez que hayamos verificado su reserva.

Casa > Productos > Productos semiconductores discretos > Transistores-FETs, MOSFETs-escoja > DMN3900UFA-7B

RFQs/Orden (0)

español

español

2991706

Imagen DMN3900UFA-7B

Diodes Incorporated

DMN3900UFA-7B

Petición de oferta en línea

Complete todos los campos requeridos con su información de contacto. Haga clic en "Enviar RFQ" Nos comunicaremos con usted en breve por correo electrónico.O envíenos un correo electrónico:info@ftcelectronics.com

Precio de Referencia (En Dólares Estadounidenses)

Existencias disponibles

10000+

$0.104

Consulta en línea

Especificaciones

Número de pieza

DMN3900UFA-7B
Fabricante / Marca

Diodes Incorporated
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 30V 0.55A DMN3900
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

DMN3900UFA-7B.pdf
VGS (th) (Max) @Id

950mV @ 250µA
Vgs (Max)

±8V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

X2-DFN0806-3
Serie

-
RDS (Max) @Id, Vgs

760 mOhm @ 200mA, 4.5V
La disipación de energía (máximo)

390mW (Ta)
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

3-XFDFN
Otros nombres

DMN3900UFA-7BTR
DMN3900UFA7B
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

20 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

42.2pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

0.7nC @ 4.5V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

1.8V, 4.5V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

30V
Descripción detallada

N-Channel 30V 550mA (Ta) 390mW (Ta) Surface Mount X2-DFN0806-3
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

550mA (Ta)

Noticias relaciondas
Envío
Forma de pago

Se informa que Kioxia recibirá la aprobación de listados ...

La última plataforma óptica de silicio de Tower Semicondu...

La industria se recupera lentamente.El proveedor epitaxial ...

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

The core value and future development trend of passive comp...

Proveedor: una gran cantidad de componentes de la GPU de la...

Taiwán, el valor de salida del semiconductor de China crec...

Ampliando la producción de paneles OLED, LG Display invert...

Amazon aumenta los esfuerzos para crear chips de IA persona...

La ganancia neta del tercer trimestre de Pegatron fue de $ ...

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

Corea del Sur planea promulgar la Ley de Chip para contrarr...

Envío

Pago

Los siguientes son productos relacionados con "DMN3900UFA-7B".

DMN4010LFG-13

Descripción: MOSFET N-CH 40V 11.5A PWDI3333-8

Fabricantes: Diodes Incorporated

Existencias disponibles

DMN4020LFDE-7

Descripción: MOSFET N-CH 40V 6-UDFN

Fabricantes: Diodes Incorporated

Existencias disponibles

DMN33D8LT-13

Descripción: MOSFET N-CH 30V 0.115A

Fabricantes: Diodes Incorporated

Existencias disponibles

DMN3730U-7

Descripción: MOSFET N-CH 30V 750MA SOT23

Fabricantes: Diodes Incorporated

Existencias disponibles

DMN4010LFG-7

Descripción: MOSFET N-CH 40V 11.5A PWDI3333-8

Fabricantes: Diodes Incorporated

Existencias disponibles

DMN3300U-7

Descripción: MOSFET N-CH 30V 2A SOT23-3

Fabricantes: Diodes Incorporated

Existencias disponibles

DMN4025LSD-13

Descripción: MOSFET N-CH 40V 8-SOIC

Fabricantes: Diodes Incorporated

Existencias disponibles

DMN33D8LT-7

Descripción: MOSFET N-CH 30V 0.115A

Fabricantes: Diodes Incorporated

Existencias disponibles

DMN4009LK3-13

Descripción: MOSFET N-CH 40V 18A DPAK

Fabricantes: Diodes Incorporated

Existencias disponibles

DMN3730UFB4-7

Descripción: MOSFET N-CH 30V 750MA DFN

Fabricantes: Diodes Incorporated

Existencias disponibles

DMN4026SK3-13

Descripción: MOSFET N-CH 40V 28A TO252

Fabricantes: Diodes Incorporated

Existencias disponibles

DMN33D8LDW-13

Descripción: MOSFET 2N-CH 30V 0.25A

Fabricantes: Diodes Incorporated

Existencias disponibles

DMN3730UFB-7

Descripción: MOSFET N-CH 30V 750MA DFN

Fabricantes: Diodes Incorporated

Existencias disponibles

DMN33D8LDW-7

Descripción: MOSFET 2N-CH 30V 0.25A

Fabricantes: Diodes Incorporated

Existencias disponibles

DMN4015LK3-13

Descripción: MOSFET N-CH 40V 13.5A DPAK

Fabricantes: Diodes Incorporated

Existencias disponibles

DMN4008LFG-13

Descripción: MOSFET N-CH 40V 14.4A PWDI3333-8

Fabricantes: Diodes Incorporated

Existencias disponibles

DMN32D4SDW-7

Descripción: MOSFET 2N-CH 30V 0.65A SOT363

Fabricantes: Diodes Incorporated

Existencias disponibles

DMN4008LFG-7

Descripción: MOSFET N-CH 40V 14.4A PWDI3333-8

Fabricantes: Diodes Incorporated

Existencias disponibles

DMN3404L-7

Descripción: MOSFET N-CH 30V 5.8A SOT-23

Fabricantes: Diodes Incorporated

Existencias disponibles

DMN4020LFDE-13

Descripción: MOSFET N-CH 40V 8A U-DFN2020-6

Fabricantes: Diodes Incorporated

Existencias disponibles

Como el único distribuidor público de mercado abierto, poseemos una combinación única de acceso global, experiencia en la industria manufacturera y calidad probada.Con esto, podemos crear soluciones personalizadas de cadena de suministro de extremo a extremo para el abastecimiento de componentes electrónicos y la gestión de inventario.

¡Síguenos!

Términos y condiciones Política de infracción Solicitar presupuesto Sobre nosotros Contáctenos Mapa del sitio

Seleccione el idioma

Haga clic en el espacio para salir

Idioma actual

Elija su país o región.