Para visitantes en ElectronicA 2024

¡Reserve su tiempo ahora!

Todo lo que se necesita es unos pocos clics para reservar su lugar y obtener el boleto de stand

Hall C5 Booth 220

Registro anticipado

*Nombre de la empresa
*Nombre
*Título

*Dirección de correo electrónico
*Número de teléfono

*País
*Ventana de contacto
*Fecha del evento

*Mensajes

Para visitantes en ElectronicA 2024

¡Están todos registrados! ¡Gracias por hacer una cita!
Le enviaremos los boletos de stand por correo electrónico una vez que hayamos verificado su reserva.

Casa > Productos > Productos semiconductores discretos > Transistores-FETs, MOSFETs-escoja > DMN6013LFGQ-7

RFQs/Orden (0)

español

español

4905552

Imagen DMN6013LFGQ-7

Diodes Incorporated

DMN6013LFGQ-7

Petición de oferta en línea

Complete todos los campos requeridos con su información de contacto. Haga clic en "Enviar RFQ" Nos comunicaremos con usted en breve por correo electrónico.O envíenos un correo electrónico:info@ftcelectronics.com

Precio de Referencia (En Dólares Estadounidenses)

Existencias disponibles

2000+

$0.375

Consulta en línea

Especificaciones

Número de pieza

DMN6013LFGQ-7
Fabricante / Marca

Diodes Incorporated
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET NCH 60V 10.3A POWERDI
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

DMN6013LFGQ-7.pdf
VGS (th) (Max) @Id

3V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

PowerDI3333-8
Serie

Automotive, AEC-Q101
RDS (Max) @Id, Vgs

13 mOhm @ 10A, 10V
La disipación de energía (máximo)

1W (Ta)
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

8-PowerVDFN
Otros nombres

DMN6013LFGQ-7-ND
DMN6013LFGQ-7DITR
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

2577pF @ 30V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

55.4nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

60V
Descripción detallada

N-Channel 60V 10.3A (Ta), 45A (Tc) 1W (Ta) Surface Mount PowerDI3333-8
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

10.3A (Ta), 45A (Tc)

Noticias relaciondas
Envío
Forma de pago

Se informa que Kioxia recibirá la aprobación de listados ...

La última plataforma óptica de silicio de Tower Semicondu...

La industria se recupera lentamente.El proveedor epitaxial ...

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

The core value and future development trend of passive comp...

Proveedor: una gran cantidad de componentes de la GPU de la...

Taiwán, el valor de salida del semiconductor de China crec...

Ampliando la producción de paneles OLED, LG Display invert...

Amazon aumenta los esfuerzos para crear chips de IA persona...

La ganancia neta del tercer trimestre de Pegatron fue de $ ...

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

Corea del Sur planea promulgar la Ley de Chip para contrarr...

Envío

Pago

Los siguientes son productos relacionados con "DMN6013LFGQ-7".

DMN5L06VA-7

Descripción: MOSFET 2N-CH 50V 0.28A SOT-563

Fabricantes: Diodes Incorporated

Existencias disponibles

DMN601DMK-7

Descripción: MOSFET 2N-CH 60V 0.51A SOT26

Fabricantes: Diodes Incorporated

Existencias disponibles

DMN601DWKQ-7

Descripción: MOSFET N-CHAN 41V 60V SOT363

Fabricantes: Diodes Incorporated

Existencias disponibles

DMN5L06VK-7

Descripción: MOSFET 2N-CH 50V 0.28A SOT-563

Fabricantes: Diodes Incorporated

Existencias disponibles

DMN6013LFGQ-13

Descripción: MOSFET NCH 60V 10.3A POWERDI

Fabricantes: Diodes Incorporated

Existencias disponibles

DMN601WK-7

Descripción: MOSFET N-CH 60V 300MA SC70-3

Fabricantes: Diodes Incorporated

Existencias disponibles

DMN601K-7

Descripción: MOSFET N-CH 60V 300MA SOT23-3

Fabricantes: Diodes Incorporated

Existencias disponibles

DMN601WKQ-13

Descripción: MOSFET NCH 60V SOT323

Fabricantes: Diodes Incorporated

Existencias disponibles

DMN5L06WK-7

Descripción: MOSFET N-CH 50V 300MA SC70-3

Fabricantes: Diodes Incorporated

Existencias disponibles

DMN5L06VKQ-7

Descripción: MOSFET 2 N-CH 50V 280MA SOT563

Fabricantes: Diodes Incorporated

Existencias disponibles

DMN5L06W-7

Descripción: MOSFET N-CH 50V 280MA SC70-3

Fabricantes: Diodes Incorporated

Existencias disponibles

DMN601DWK-7

Descripción: MOSFET 2N-CH 60V 0.305A SOT-363

Fabricantes: Diodes Incorporated

Existencias disponibles

DMN601TK-7

Descripción: MOSFET N-CH 60V 300MA SOT-523

Fabricantes: Diodes Incorporated

Existencias disponibles

DMN6017SK3-13

Descripción: MOSFET N-CHANNEL 60V 43A TO252

Fabricantes: Diodes Incorporated

Existencias disponibles

DMN601VK-7

Descripción: MOSFET 2N-CH 60V 0.305A SOT-563

Fabricantes: Diodes Incorporated

Existencias disponibles

DMN601VKQ-7

Descripción: MOSFET 2N-CH 60V 0.305A SOT563

Fabricantes: Diodes Incorporated

Existencias disponibles

DMN5L06WKQ-7

DMN5L06WKQ-7

Descripción: MOSFET N-CH 50V 300MA SOT323

Fabricantes: Diodes Incorporated

Existencias disponibles

DMN6013LFG-13

Descripción: MOSFET N-CH 60V 10.3A PWDI3333-8

Fabricantes: Diodes Incorporated

Existencias disponibles

DMN5L06VAK-7

Descripción: MOSFET 2N-CH 50V 0.28A SOT-563

Fabricantes: Diodes Incorporated

Existencias disponibles

DMN6013LFG-7

Descripción: MOSFET N-CH 60V 10.3A PWDI3333-8

Fabricantes: Diodes Incorporated

Existencias disponibles

Como el único distribuidor público de mercado abierto, poseemos una combinación única de acceso global, experiencia en la industria manufacturera y calidad probada.Con esto, podemos crear soluciones personalizadas de cadena de suministro de extremo a extremo para el abastecimiento de componentes electrónicos y la gestión de inventario.

¡Síguenos!

Términos y condiciones Política de infracción Solicitar presupuesto Sobre nosotros Contáctenos Mapa del sitio

Seleccione el idioma

Haga clic en el espacio para salir

Idioma actual

Elija su país o región.