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Imagen DMN61D8LVT-13

Diodes Incorporated

DMN61D8LVT-13

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Especificaciones

Número de pieza

DMN61D8LVT-13
Fabricante / Marca

Diodes Incorporated
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET 2N-CH 60V 0.63A TSOT26
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

DMN61D8LVT-13.pdf
VGS (th) (Max) @Id

2V @ 1mA
Paquete del dispositivo

TSOT-26
Serie

-
RDS (Max) @Id, Vgs

1.8 Ohm @ 150mA, 5V
Potencia - Max

820mW
embalaje

Cut Tape (CT)
Paquete / Cubierta

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Otros nombres

DMN61D8LVT-13DICT
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

12.9pF @ 12V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

0.74nC @ 5V
Tipo FET

2 N-Channel (Dual)
Característica de FET

Logic Level Gate
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

60V
Descripción detallada

Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 630mA 820mW Surface Mount TSOT-26
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

630mA

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