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1796822Imagen DMNH10H028SPSQ-13Diodes Incorporated

DMNH10H028SPSQ-13

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Especificaciones
  • Número de pieza
    DMNH10H028SPSQ-13
  • Fabricante / Marca
    Diodes Incorporated
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    MOSFET N-CH 100V 40A POWERDI506
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    DMNH10H028SPSQ-13.pdf
  • Voltaje - Prueba
    2245pF @ 50V
  • Tensión - Desglose
    PowerDI5060-8
  • VGS (th) (Max) @Id
    28 mOhm @ 20A, 10V
  • Vgs (Max)
    10V
  • Tecnología
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Serie
    -
  • Estado RoHS
    Tape & Reel (TR)
  • RDS (Max) @Id, Vgs
    40A (Tc)
  • Polarización
    8-PowerTDFN
  • Otros nombres
    DMNH10H028SPSQ-13DITR
  • Temperatura de funcionamiento
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tiempo de entrega estándar del fabricante
    16 Weeks
  • Número de pieza del fabricante
    DMNH10H028SPSQ-13
  • Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
    36nC @ 10V
  • Tipo de IGBT
    ±20V
  • Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs
    4V @ 250µA
  • Característica de FET
    N-Channel
  • Descripción ampliada
    N-Channel 100V 40A (Tc) 1.6W (Ta) Surface Mount PowerDI5060-8
  • Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las
    -
  • Descripción
    MOSFET N-CH 100V 40A POWERDI506
  • Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C
    100V
  • relación de capacidades
    1.6W (Ta)

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