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Imagen DMP1080UCB4-7

Diodes Incorporated

DMP1080UCB4-7

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Especificaciones

Número de pieza

DMP1080UCB4-7
Fabricante / Marca

Diodes Incorporated
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET P-CH 12V U-WLB1010-4
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

DMP1080UCB4-7.pdf
VGS (th) (Max) @Id

1V @ 250µA
Vgs (Max)

-6V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

U-WLB1010-4
Serie

-
RDS (Max) @Id, Vgs

80 mOhm @ 500mA, 4.5V
La disipación de energía (máximo)

820mW (Ta)
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

4-UFBGA, WLBGA
Otros nombres

DMP1080UCB4-7DITR
DMP1080UCB47
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

6 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

350pF @ 6V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

5nC @ 4.5V
Tipo FET

P-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

1.5V, 4.5V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

12V
Descripción detallada

P-Channel 12V 3.3A (Ta) 820mW (Ta) Surface Mount U-WLB1010-4
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

3.3A (Ta)

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