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Imagen DMP2010UFG-13

Diodes Incorporated

DMP2010UFG-13

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Especificaciones

Número de pieza

DMP2010UFG-13
Fabricante / Marca

Diodes Incorporated
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET P-CH 20V 12.7A PWRDI3333
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

DMP2010UFG-13.pdf
VGS (th) (Max) @Id

1.2V @ 250µA
Vgs (Max)

±10V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

PowerDI3333-8
Serie

-
RDS (Max) @Id, Vgs

9.5 mOhm @ 3.6A, 4.5V
La disipación de energía (máximo)

900mW (Ta)
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

8-PowerWDFN
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

32 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

3350pF @ 10V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

103nC @ 10V
Tipo FET

P-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

2.5V, 4.5V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

20V
Descripción detallada

P-Channel 20V 12.7A (Ta), 42A (Tc) 900mW (Ta) Surface Mount PowerDI3333-8
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

12.7A (Ta), 42A (Tc)

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