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Imagen DMP210DUFB4-7B

Diodes Incorporated

DMP210DUFB4-7B

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Especificaciones

Número de pieza

DMP210DUFB4-7B
Fabricante / Marca

Diodes Incorporated
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET P-CH 20V 0.2A X2-DFN1006
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

DMP210DUFB4-7B.pdf
VGS (th) (Max) @Id

1V @ 250µA
Vgs (Max)

±10V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

X2-DFN1006-3
Serie

-
RDS (Max) @Id, Vgs

5 Ohm @ 100mA, 4.5V
La disipación de energía (máximo)

350mW (Ta)
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

3-XFDFN
Otros nombres

DMP210DUFB4-7BDI
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

14 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

175pF @ 15V
Tipo FET

P-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

1.2V, 4.5V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

20V
Descripción detallada

P-Channel 20V 200mA (Ta) 350mW (Ta) Surface Mount X2-DFN1006-3
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

200mA (Ta)

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