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5904518Imagen DMP26M7UFG-7Diodes Incorporated

DMP26M7UFG-7

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Especificaciones
  • Número de pieza
    DMP26M7UFG-7
  • Fabricante / Marca
    Diodes Incorporated
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    MOSFET P-CH 20V 18A PWRDI3333-8
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    DMP26M7UFG-7.pdf
  • VGS (th) (Max) @Id
    1V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±10V
  • Tecnología
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Paquete del dispositivo
    PowerDI3333-8
  • Serie
    -
  • RDS (Max) @Id, Vgs
    6.7 mOhm @ 15A, 4.5V
  • La disipación de energía (máximo)
    2.3W (Ta)
  • embalaje
    Tape & Reel (TR)
  • Paquete / Cubierta
    8-PowerWDFN
  • Otros nombres
    DMP26M7UFG-7DITR
  • Temperatura de funcionamiento
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tiempo de entrega estándar del fabricante
    32 Weeks
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
    5940pF @ 10V
  • Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs
    156nC @ 10V
  • Tipo FET
    P-Channel
  • Característica de FET
    -
  • Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)
    1.8V, 4.5V
  • Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las
    20V
  • Descripción detallada
    P-Channel 20V 18A (Ta), 40A (Tc) 2.3W (Ta) Surface Mount PowerDI3333-8
  • Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C
    18A (Ta), 40A (Tc)

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