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Imagen DMP3015LSSQ-13

Diodes Incorporated

DMP3015LSSQ-13

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Especificaciones

Número de pieza

DMP3015LSSQ-13
Fabricante / Marca

Diodes Incorporated
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET P-CH 30V 13A 8-SO
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

DMP3015LSSQ-13.pdf
Voltaje - Prueba

2748pF @ 20V
Tensión - Desglose

8-SO
VGS (th) (Max) @Id

11 mOhm @ 13A, 10V
Vgs (Max)

4.5V, 10V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Serie

-
Estado RoHS

Tape & Reel (TR)
RDS (Max) @Id, Vgs

13A (Ta)
Polarización

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Otros nombres

DMP3015LSSQ-13DITR
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

16 Weeks
Número de pieza del fabricante

DMP3015LSSQ-13
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

60.4nC @ 10V
Tipo de IGBT

±20V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

2V @ 250µA
Característica de FET

P-Channel
Descripción ampliada

P-Channel 30V 13A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

-
Descripción

MOSFET P-CH 30V 13A 8-SO
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

30V
relación de capacidades

2.5W (Ta)

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