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Casa > Productos > Productos semiconductores discretos > Transistores-FETs, MOSFETs-escoja > DMP3105LVT-7

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Imagen DMP3105LVT-7

Diodes Incorporated

DMP3105LVT-7

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Especificaciones

Número de pieza

DMP3105LVT-7
Fabricante / Marca

Diodes Incorporated
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET P-CH 30V 3.1A TSOT26
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

DMP3105LVT-7.pdf
VGS (th) (Max) @Id

1.5V @ 250µA
Vgs (Max)

±12V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

TSOT-23-6
Serie

-
RDS (Max) @Id, Vgs

75 mOhm @ 4.2A, 10V
La disipación de energía (máximo)

1.15W (Ta)
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Otros nombres

DMP3105LVT-7DITR
DMP3105LVT7
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

32 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

839pF @ 15V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

19.8nC @ 10V
Tipo FET

P-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

2.5V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

30V
Descripción detallada

P-Channel 30V 3.1A (Ta) 1.15W (Ta) Surface Mount TSOT-23-6
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

3.1A (Ta)

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