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658852Imagen DMT10H010LK3-13Diodes Incorporated

DMT10H010LK3-13

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Especificaciones
  • Número de pieza
    DMT10H010LK3-13
  • Fabricante / Marca
    Diodes Incorporated
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    MOSFET N-CH 100V 68.8A TO252
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Contiene plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    DMT10H010LK3-13.pdf
  • VGS (th) (Max) @Id
    3V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tecnología
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Paquete del dispositivo
    TO-252, (D-Pak)
  • Serie
    -
  • RDS (Max) @Id, Vgs
    8.8 mOhm @ 13A, 10V
  • La disipación de energía (máximo)
    3W (Ta)
  • embalaje
    Tape & Reel (TR)
  • Paquete / Cubierta
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • Otros nombres
    DMT10H010LK3-13DITR
  • Temperatura de funcionamiento
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tiempo de entrega estándar del fabricante
    24 Weeks
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Contains lead / RoHS Compliant
  • Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
    2592pF @ 50V
  • Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs
    53.7nC @ 10V
  • Tipo FET
    N-Channel
  • Característica de FET
    -
  • Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)
    6V, 10V
  • Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las
    100V
  • Descripción detallada
    N-Channel 100V 68.8A (Tc) 3W (Ta) Surface Mount TO-252, (D-Pak)
  • Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C
    68.8A (Tc)

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