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Imagen DMT3009LFVW-13

Diodes Incorporated

DMT3009LFVW-13

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Especificaciones

Número de pieza

DMT3009LFVW-13
Fabricante / Marca

Diodes Incorporated
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET BVDSS: 25V 30V POWERDI333
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

DMT3009LFVW-13.pdf
VGS (th) (Max) @Id

3V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

PowerDI3333-8
Serie

-
RDS (Max) @Id, Vgs

11 mOhm @ 14.4A, 10V
La disipación de energía (máximo)

2.3W (Ta)
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

8-PowerVDFN
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Tiempo de entrega estándar del fabricante

20 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

823pF @ 15V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

12nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

3.8V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

30V
Descripción detallada

N-Channel 30V 12A (Ta), 50A (Tc) 2.3W (Ta) Surface Mount PowerDI3333-8
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

12A (Ta), 50A (Tc)

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