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DMT6004SPS-13

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Especificaciones
  • Número de pieza
    DMT6004SPS-13
  • Fabricante / Marca
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    MOSFET N-CH 60V 23A POWERDI5060
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Contiene plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
  • VGS (th) (Max) @Id
    4V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tecnología
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Paquete del dispositivo
    PowerDI5060-8
  • Serie
    Automotive, AEC-Q101
  • RDS (Max) @Id, Vgs
    3.1 mOhm @ 50A, 10V
  • La disipación de energía (máximo)
    2.5W (Ta)
  • embalaje
    Tape & Reel (TR)
  • Paquete / Cubierta
    8-PowerTDFN
  • Temperatura de funcionamiento
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Tiempo de entrega estándar del fabricante
    20 Weeks
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Contains lead / RoHS Compliant
  • Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
    4556pF @ 30V
  • Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs
    95.4nC @ 10V
  • Tipo FET
    N-Channel
  • Característica de FET
    -
  • Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las
    60V
  • Descripción detallada
    N-Channel 60V 23A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount PowerDI5060-8
  • Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C
    23A (Ta)
DMT4S1K-F

DMT4S1K-F

Descripción: CAP FILM 10000PF 10% 400VDC RAD

Fabricantes: Cornell Dubilier Electronics
Existencias disponibles
DMT5015LFDF-7

DMT5015LFDF-7

Descripción: MOSFET N-CH 50V 9.1A 6DFN

Fabricantes: Diodes Incorporated
Existencias disponibles
DMT6009LFG-7

DMT6009LFG-7

Descripción: MOSFET N-CH 60V 11A

Fabricantes: Diodes Incorporated
Existencias disponibles
DMT6004SCT

DMT6004SCT

Descripción: MOSFET N-CH 60V 100A TO220-3

Fabricantes: Diodes Incorporated
Existencias disponibles
DMT5015LFDF-13

DMT5015LFDF-13

Descripción: MOSFET N-CH 50V 9.1A 6DFN

Fabricantes: Diodes Incorporated
Existencias disponibles
DMT6005LCT

DMT6005LCT

Descripción: MOSFET NCH 60V 100A TO220AB

Fabricantes: Diodes Incorporated
Existencias disponibles
DMT6008LFG-7

DMT6008LFG-7

Descripción: MOSFET N-CH 60V 13A PWDI3333-8

Fabricantes: Diodes Incorporated
Existencias disponibles
DMT4P1K-F

DMT4P1K-F

Descripción: CAP FILM 0.1UF 10% 400VDC RADIAL

Fabricantes: Cornell Dubilier Electronics
Existencias disponibles
DMT6005LSS-13

DMT6005LSS-13

Descripción: MOSFET N-CHA 60V 13.5A SO8

Fabricantes: Diodes Incorporated
Existencias disponibles
DMT6008LFG-13

DMT6008LFG-13

Descripción: MOSFET N-CH 60V 13A PWDI3333-8

Fabricantes: Diodes Incorporated
Existencias disponibles
DMT6009LFG-13

DMT6009LFG-13

Descripción: MOSFET N-CH 60V 11A POWERDI3333-

Fabricantes: Diodes Incorporated
Existencias disponibles
DMT6002LPS-13

DMT6002LPS-13

Descripción: MOSFET N-CH 60V 100A POWERDI5060

Fabricantes: Diodes Incorporated
Existencias disponibles
DMT6009LCT

DMT6009LCT

Descripción: MOSFET N-CHA 60V 37.2A TO220AB

Fabricantes: Diodes Incorporated
Existencias disponibles
DMT4P1K

DMT4P1K

Descripción: CAP FILM 0.1UF 10% 400VDC RADIAL

Fabricantes: Cornell Dubilier Electronics
Existencias disponibles
DMT6005LPS-13

DMT6005LPS-13

Descripción: MOSFET N-CHA 60V 17.9A POWERDI

Fabricantes: Diodes Incorporated
Existencias disponibles
DMT4P22K-F

DMT4P22K-F

Descripción: CAP FILM 0.22UF 10% 400VDC RAD

Fabricantes: Cornell Dubilier Electronics
Existencias disponibles
DMT6004LPS-13

DMT6004LPS-13

Descripción: MOSFET N-CH 60V 22A

Fabricantes: Diodes Incorporated
Existencias disponibles
DMT6007LFG-7

DMT6007LFG-7

Descripción: MOSFET BVDSS: 41V 60V POWERDI333

Fabricantes: Diodes Incorporated
Existencias disponibles
DMT6007LFG-13

DMT6007LFG-13

Descripción: MOSFET BVDSS: 41V 60V POWERDI333

Fabricantes: Diodes Incorporated
Existencias disponibles
DMT4P22K

DMT4P22K

Descripción: CAP FILM 0.22UF 10% 400VDC RAD

Fabricantes: Cornell Dubilier Electronics
Existencias disponibles

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