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Casa > Productos > Productos semiconductores discretos > Transistores bipolares (BJT)-Single > DN0150BLP4-7B
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6704193Imagen DN0150BLP4-7BDiodes Incorporated

DN0150BLP4-7B

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Especificaciones
  • Número de pieza
    DN0150BLP4-7B
  • Fabricante / Marca
    Diodes Incorporated
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    TRANS NPN 50V 0.1A DFN1006H4-3
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    DN0150BLP4-7B.pdf
  • Tensión - Colector-emisor (máx)
    50V
  • VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic
    250mV @ 10mA, 100mA
  • Tipo de transistor
    NPN
  • Paquete del dispositivo
    X2-DFN1006-3
  • Serie
    -
  • Potencia - Max
    450mW
  • embalaje
    Tape & Reel (TR)
  • Paquete / Cubierta
    3-XFDFN
  • Otros nombres
    DN0150BLP4-7BDITR
    DN0150BLP47B
  • Temperatura de funcionamiento
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tiempo de entrega estándar del fabricante
    14 Weeks
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Frecuencia - Transición
    60MHz
  • Descripción detallada
    Bipolar (BJT) Transistor NPN 50V 100mA 60MHz 450mW Surface Mount X2-DFN1006-3
  • DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce
    200 @ 2mA, 6V
  • Corriente - corte del colector (Max)
    100nA (ICBO)
  • Corriente - colector (Ic) (Max)
    100mA
  • Número de pieza base
    DN0150

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