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Casa > Productos > Productos semiconductores discretos > Transistores-bipolar (BJT)-matrices > DSS4160FDB-7

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Imagen DSS4160FDB-7

Diodes Incorporated

DSS4160FDB-7

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Especificaciones

Número de pieza

DSS4160FDB-7
Fabricante / Marca

Diodes Incorporated
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

TRANS NPH U-DFN2020-6
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

DSS4160FDB-7.pdf
Tensión - Colector-emisor (máx)

60V
VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic

240mV @ 50mA, 1A
Tipo de transistor

2 NPN (Dual)
Paquete del dispositivo

U-DFN2020-6 (Type B)
Serie

-
Potencia - Max

405mW
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

6-UDFN Exposed Pad
Otros nombres

DSS4160FDB-7DITR
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Frecuencia - Transición

175MHz
Descripción detallada

Bipolar (BJT) Transistor Array 2 NPN (Dual) 60V 1A 175MHz 405mW Surface Mount U-DFN2020-6 (Type B)
DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce

150 @ 500mA, 2V
Corriente - corte del colector (Max)

100nA (ICBO)
Corriente - colector (Ic) (Max)

1A

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