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Casa > Productos > Productos semiconductores discretos > Transistores bipolares (BJT)-Single > DXT2010P5-13

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Imagen DXT2010P5-13

Diodes Incorporated

DXT2010P5-13

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Especificaciones

Número de pieza

DXT2010P5-13
Fabricante / Marca

Diodes Incorporated
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

TRANS NPN 60V 6A POWERDI5
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

DXT2010P5-13.pdf
Tensión - Colector-emisor (máx)

60V
VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic

260mV @ 300mA, 6A
Tipo de transistor

NPN
Paquete del dispositivo

PowerDI™ 5
Serie

-
Potencia - Max

3.2W
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

PowerDI™ 5
Otros nombres

DXT2010P5-13TR
DXT2010P513
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

20 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Frecuencia - Transición

130MHz
Descripción detallada

Bipolar (BJT) Transistor NPN 60V 6A 130MHz 3.2W Surface Mount PowerDI™ 5
DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce

100 @ 2A, 1V
Corriente - corte del colector (Max)

20nA (ICBO)
Corriente - colector (Ic) (Max)

6A
Número de pieza base

DXT2010P5

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