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Casa > Productos > Productos semiconductores discretos > Transistores-bipolar (BJT)-matrices > HBDM60V600W-7
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6089880Imagen HBDM60V600W-7Diodes Incorporated

HBDM60V600W-7

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30000+
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Especificaciones
  • Número de pieza
    HBDM60V600W-7
  • Fabricante / Marca
    Diodes Incorporated
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    TRANS NPN/PNP 65V/60V SOT363
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    HBDM60V600W-7.pdf
  • Tensión - Colector-emisor (máx)
    65V, 60V
  • VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic
    400mV @ 10mA, 100mA / 500mV @ 50mA, 500mA
  • Tipo de transistor
    NPN, PNP
  • Paquete del dispositivo
    SOT-363
  • Serie
    -
  • Potencia - Max
    200mW
  • embalaje
    Tape & Reel (TR)
  • Paquete / Cubierta
    6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • Otros nombres
    HBDM60V600W7
    HBDM60V600WDITR
  • Temperatura de funcionamiento
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tiempo de entrega estándar del fabricante
    24 Weeks
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Frecuencia - Transición
    100MHz
  • Descripción detallada
    Bipolar (BJT) Transistor Array NPN, PNP 65V, 60V 500mA, 600mA 100MHz 200mW Surface Mount SOT-363
  • DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce
    100 @ 100mA, 1V / 100 @ 150mA, 10V
  • Corriente - corte del colector (Max)
    100nA
  • Corriente - colector (Ic) (Max)
    500mA, 600mA
  • Número de pieza base
    HBDM60V600

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