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Casa > Productos > Productos semiconductores discretos > Transistores-bipolar (BJT)-matrices > IMX8-7-F
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5991896Imagen IMX8-7-FDiodes Incorporated

IMX8-7-F

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Especificaciones
  • Número de pieza
    IMX8-7-F
  • Fabricante / Marca
    Diodes Incorporated
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    TRANS 2NPN 120V 0.05A SOT26
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    IMX8-7-F.pdf
  • Tensión - Colector-emisor (máx)
    120V
  • VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic
    500mV @ 1mA, 10mA
  • Tipo de transistor
    2 NPN (Dual)
  • Paquete del dispositivo
    SOT-26
  • Serie
    -
  • Potencia - Max
    300mW
  • embalaje
    Cut Tape (CT)
  • Paquete / Cubierta
    SOT-23-6
  • Otros nombres
    IMX8-FDICT
  • Temperatura de funcionamiento
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tiempo de entrega estándar del fabricante
    20 Weeks
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Frecuencia - Transición
    140MHz
  • Descripción detallada
    Bipolar (BJT) Transistor Array 2 NPN (Dual) 120V 50mA 140MHz 300mW Surface Mount SOT-26
  • DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce
    180 @ 2mA, 6V
  • Corriente - corte del colector (Max)
    500nA (ICBO)
  • Corriente - colector (Ic) (Max)
    50mA
  • Número de pieza base
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