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Casa > Productos > Productos semiconductores discretos > Transistores bipolares (BJT)-Single > MMBTA56Q-7-F
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4438511Imagen MMBTA56Q-7-FDiodes Incorporated

MMBTA56Q-7-F

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Especificaciones
  • Número de pieza
    MMBTA56Q-7-F
  • Fabricante / Marca
    Diodes Incorporated
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    TRANS PNP 80V 0.5A SOT23-3
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    MMBTA56Q-7-F.pdf
  • Tensión - Colector-emisor (máx)
    80V
  • VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic
    250mV @ 10mA, 100mA
  • Tipo de transistor
    PNP
  • Paquete del dispositivo
    SOT-23
  • Serie
    Automotive, AEC-Q101
  • Potencia - Max
    350mW
  • embalaje
    Cut Tape (CT)
  • Paquete / Cubierta
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Otros nombres
    MMBTA56Q-7-FDICT
  • Temperatura de funcionamiento
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tiempo de entrega estándar del fabricante
    12 Weeks
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Frecuencia - Transición
    50MHz
  • Descripción detallada
    Bipolar (BJT) Transistor PNP 80V 500mA 50MHz 350mW Surface Mount SOT-23
  • DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce
    100 @ 100mA, 1V
  • Corriente - corte del colector (Max)
    100nA (ICBO)
  • Corriente - colector (Ic) (Max)
    500mA

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