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Casa > Productos > Productos semiconductores discretos > Transistores-bipolar (BJT)-matrices > MMDT3946LP4-7
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4757884Imagen MMDT3946LP4-7Diodes Incorporated

MMDT3946LP4-7

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Especificaciones
  • Número de pieza
    MMDT3946LP4-7
  • Fabricante / Marca
    Diodes Incorporated
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    TRANS NPN/PNP 40V 0.2A 6DFN
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    MMDT3946LP4-7.pdf
  • Tensión - Colector-emisor (máx)
    40V
  • VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic
    300mV @ 5mA, 50mA / 400mV @ 5mA, 50mA
  • Tipo de transistor
    NPN, PNP
  • Paquete del dispositivo
    DFN1310H4-6
  • Serie
    -
  • Potencia - Max
    200mW
  • embalaje
    Tape & Reel (TR)
  • Paquete / Cubierta
    6-SMD, No Lead
  • Otros nombres
    MMDT3946LP4-7-ND
    MMDT3946LP4-7DITR
  • Temperatura de funcionamiento
    -
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tiempo de entrega estándar del fabricante
    20 Weeks
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Frecuencia - Transición
    300MHz, 250MHz
  • Descripción detallada
    Bipolar (BJT) Transistor Array NPN, PNP 40V 200mA 300MHz, 250MHz 200mW Surface Mount DFN1310H4-6
  • DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce
    100 @ 10mA, 1V
  • Corriente - corte del colector (Max)
    -
  • Corriente - colector (Ic) (Max)
    200mA
  • Número de pieza base
    MMDT3946

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Descripción: TRANS NPN/PNP 40V 0.2A SOT363

Fabricantes: Diodes Incorporated
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Descripción: TRANS 2PNP 40V 0.2A SOT363

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Descripción: TRANS NPN/PNP 25V 0.2A SOT363

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