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Casa > Productos > Productos semiconductores discretos > Diodos-rectificadores-Single > S1B-13
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5428601Imagen S1B-13Diodes Incorporated

S1B-13

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Especificaciones
  • Número de pieza
    S1B-13
  • Fabricante / Marca
    Diodes Incorporated
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    DIODE GEN PURP 100V 1A SMA
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Contiene plomo / RoHS no conforme
  • Especificaciones
    S1B-13.pdf
  • Tensión - directo (Vf) (Max) Si @
    1.1V @ 1A
  • Voltaje - Inverso (Vr) (máx)
    100V
  • Paquete del dispositivo
    SMA
  • Velocidad
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Serie
    -
  • Tiempo de recuperación inversa (trr)
    3µs
  • embalaje
    Tape & Reel (TR)
  • Paquete / Cubierta
    DO-214AC, SMA
  • Otros nombres
    S1BDITR
    S1BT
    S1BTR
    S1BTR-ND
  • Temperatura de funcionamiento - Junction
    -65°C ~ 150°C
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Tipo de diodo
    Standard
  • Descripción detallada
    Diode Standard 100V 1A Surface Mount SMA
  • Corriente - Fuga inversa a Vr
    5µA @ 100V
  • Corriente - rectificada media (Io)
    1A
  • Capacitancia Vr, F
    10pF @ 4V, 1MHz
  • Número de pieza base
    S1B

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Descripción: DIODE GEN PURP 100V 1A SMB

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Fabricantes: TSC (Taiwan Semiconductor)
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Descripción: DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
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Descripción: DIODE GEN PURP 100V 1A SMA

Fabricantes: Diodes Incorporated
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Descripción: DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC

Fabricantes: TSC (Taiwan Semiconductor)
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Descripción: DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC

Fabricantes: TSC (Taiwan Semiconductor)
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S1B-M3/61T

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Descripción: DIODE GPP 1A 100V DO-214AC

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
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Descripción: DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
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