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4576479Imagen UMG4N-7Diodes Incorporated

UMG4N-7

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Especificaciones
  • Número de pieza
    UMG4N-7
  • Fabricante / Marca
    Diodes Incorporated
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W SOT353
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    UMG4N-7.pdf
  • Tensión - Colector-emisor (máx)
    50V
  • VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic
    300mV @ 1mA, 10mA
  • Tipo de transistor
    2 NPN - Pre-Biased (Dual)
  • Paquete del dispositivo
    SOT-353
  • Serie
    -
  • Resistor - Base del emisor (R2)
    -
  • Resistor - Base (R1)
    10 kOhms
  • Potencia - Max
    150mW
  • embalaje
    Tape & Reel (TR)
  • Paquete / Cubierta
    5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tiempo de entrega estándar del fabricante
    24 Weeks
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Frecuencia - Transición
    250MHz
  • Descripción detallada
    Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount SOT-353
  • DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce
    100 @ 1mA, 5V
  • Corriente - corte del colector (Max)
    -
  • Corriente - colector (Ic) (Max)
    100mA

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