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ZVN3310A

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Especificaciones

Número de pieza

ZVN3310A
Fabricante / Marca

Diodes Incorporated
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 100V 200MA TO92-3
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

ZVN3310A.pdf
VGS (th) (Max) @Id

2.4V @ 1mA
Vgs (Max)

±20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

TO-92-3
Serie

-
RDS (Max) @Id, Vgs

10 Ohm @ 500mA, 10V
La disipación de energía (máximo)

625mW (Ta)
embalaje

Bulk
Paquete / Cubierta

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

20 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

40pF @ 25V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

100V
Descripción detallada

N-Channel 100V 200mA (Ta) 625mW (Ta) Through Hole TO-92-3
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

200mA (Ta)

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