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6821210Imagen ZVN4210GTADiodes Incorporated

ZVN4210GTA

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Especificaciones
  • Número de pieza
    ZVN4210GTA
  • Fabricante / Marca
    Diodes Incorporated
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    MOSFET N-CH 100V 800MA SOT223
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Contiene plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    ZVN4210GTA.pdf
  • VGS (th) (Max) @Id
    2.4V @ 1mA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tecnología
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Paquete del dispositivo
    SOT-223
  • Serie
    -
  • RDS (Max) @Id, Vgs
    1.5 Ohm @ 1.5A, 10V
  • La disipación de energía (máximo)
    2W (Ta)
  • embalaje
    Cut Tape (CT)
  • Paquete / Cubierta
    TO-261-4, TO-261AA
  • Otros nombres
    ZVN4210GCT
    ZVN4210GTA-ND
  • Temperatura de funcionamiento
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tiempo de entrega estándar del fabricante
    34 Weeks
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Contains lead / RoHS Compliant
  • Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
    100pF @ 25V
  • Tipo FET
    N-Channel
  • Característica de FET
    -
  • Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)
    5V, 10V
  • Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las
    100V
  • Descripción detallada
    N-Channel 100V 800mA (Ta) 2W (Ta) Surface Mount SOT-223
  • Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C
    800mA (Ta)

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