Para visitantes en ElectronicA 2024

¡Reserve su tiempo ahora!

Todo lo que se necesita es unos pocos clics para reservar su lugar y obtener el boleto de stand

Hall C5 Booth 220

Registro anticipado

*Nombre de la empresa
*Nombre
*Título

*Dirección de correo electrónico
*Número de teléfono

*País
*Ventana de contacto
*Fecha del evento

*Mensajes

Para visitantes en ElectronicA 2024

¡Están todos registrados! ¡Gracias por hacer una cita!
Le enviaremos los boletos de stand por correo electrónico una vez que hayamos verificado su reserva.

Casa > Productos > Productos semiconductores discretos > Transistores-FETs, MOSFETs-escoja > ZXMN10B08E6TC

RFQs/Orden (0)

español

español

5227423

Imagen ZXMN10B08E6TC

Diodes Incorporated

ZXMN10B08E6TC

Petición de oferta en línea

Complete todos los campos requeridos con su información de contacto. Haga clic en "Enviar RFQ" Nos comunicaremos con usted en breve por correo electrónico.O envíenos un correo electrónico:info@ftcelectronics.com

Consulta en línea

Especificaciones

Número de pieza

ZXMN10B08E6TC
Fabricante / Marca

Diodes Incorporated
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT23-6
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

ZXMN10B08E6TC.pdf
VGS (th) (Max) @Id

3V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

SOT-26
Serie

-
RDS (Max) @Id, Vgs

230 mOhm @ 1.6A, 10V
La disipación de energía (máximo)

1.1W (Ta)
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

SOT-23-6
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

497pF @ 50V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

9.2nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

4.3V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

100V
Descripción detallada

N-Channel 100V 1.6A (Ta) 1.1W (Ta) Surface Mount SOT-26
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

1.6A (Ta)

Noticias relaciondas
Envío
Forma de pago

Se informa que Kioxia recibirá la aprobación de listados ...

La última plataforma óptica de silicio de Tower Semicondu...

La industria se recupera lentamente.El proveedor epitaxial ...

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

The core value and future development trend of passive comp...

Proveedor: una gran cantidad de componentes de la GPU de la...

Taiwán, el valor de salida del semiconductor de China crec...

Ampliando la producción de paneles OLED, LG Display invert...

Amazon aumenta los esfuerzos para crear chips de IA persona...

La ganancia neta del tercer trimestre de Pegatron fue de $ ...

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

Corea del Sur planea promulgar la Ley de Chip para contrarr...

Envío

Pago

Los siguientes son productos relacionados con "ZXMN10B08E6TC".

ZXMN2A01FTA

Descripción: MOSFET N-CH 20V 1.9A SOT23-3

Fabricantes: Diodes Incorporated

Existencias disponibles

ZXMN2A01E6TA

Descripción: MOSFET N-CH 20V 2.44 A SOT-23-6

Fabricantes: Diodes Incorporated

Existencias disponibles

ZXMN10A25K

Descripción: MOSFET N-CH 100V 4.2A DPAK

Fabricantes: Diodes Incorporated

Existencias disponibles

ZXMN2088DE6TA

Descripción: MOSFET 2N-CH 20V 1.7A SOT-26

Fabricantes: Diodes Incorporated

Existencias disponibles

ZXMN10A11GTA

Descripción: MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT223

Fabricantes: Diodes Incorporated

Existencias disponibles

ZXMN20B28KTC

Descripción: MOSFET N-CH 200V 1.5A DPAK

Fabricantes: Diodes Incorporated

Existencias disponibles

ZXMN10A25GTA

Descripción: MOSFET N-CH 100V 2.9A SOT223

Fabricantes: Diodes Incorporated

Existencias disponibles

ZXMN2A01FTC

Descripción: MOSFET N-CH 20V 1.9A SOT23-3

Fabricantes: Diodes Incorporated

Existencias disponibles

ZXMN2A01E6TC

Descripción: MOSFET N-CH 20V 2.5A SOT23-6

Fabricantes: Diodes Incorporated

Existencias disponibles

ZXMN10A09KTC

Descripción: MOSFET N-CH 100V 5A DPAK

Fabricantes: Diodes Incorporated

Existencias disponibles

ZXMN2A02N8TA

Descripción: MOSFET N-CH 20V 8.3A 8-SOIC

Fabricantes: Diodes Incorporated

Existencias disponibles

ZXMN10A11K

Descripción: MOSFET N-CH 100V 2.4A DPAK

Fabricantes: Diodes Incorporated

Existencias disponibles

ZXMN15A27KTC

Descripción: MOSFET N-CH 150V 1.7A DPAK

Fabricantes: Diodes Incorporated

Existencias disponibles

ZXMN2069FTA

Descripción: MOSFET N-CH SOT23-3

Fabricantes: Diodes Incorporated

Existencias disponibles

ZXMN10A08GTA

Descripción: MOSFET N-CH 100V 2A SOT223

Fabricantes: Diodes Incorporated

Existencias disponibles

ZXMN10A25KTC

Descripción: MOSFET N-CH 100V 4.2A DPAK

Fabricantes: Diodes Incorporated

Existencias disponibles

ZXMN10B08E6TA

Descripción: MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT23-6

Fabricantes: Diodes Incorporated

Existencias disponibles

ZXMN10A11KTC

Descripción: MOSFET N-CH 100V 2.4A DPAK

Fabricantes: Diodes Incorporated

Existencias disponibles

ZXMN2A02X8TA

Descripción: MOSFET N-CH 20V 6.2A 8-MSOP

Fabricantes: Diodes Incorporated

Existencias disponibles

ZXMN10A11GTC

Descripción: MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT223

Fabricantes: Diodes Incorporated

Existencias disponibles

Como el único distribuidor público de mercado abierto, poseemos una combinación única de acceso global, experiencia en la industria manufacturera y calidad probada.Con esto, podemos crear soluciones personalizadas de cadena de suministro de extremo a extremo para el abastecimiento de componentes electrónicos y la gestión de inventario.

¡Síguenos!

Términos y condiciones Política de infracción Solicitar presupuesto Sobre nosotros Contáctenos Mapa del sitio

Seleccione el idioma

Haga clic en el espacio para salir

Idioma actual

Elija su país o región.