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Imagen ZXMN2B03E6TA

Diodes Incorporated

ZXMN2B03E6TA

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Especificaciones

Número de pieza

ZXMN2B03E6TA
Fabricante / Marca

Diodes Incorporated
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 20V 4.3A SOT23-6
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

ZXMN2B03E6TA.pdf
VGS (th) (Max) @Id

1V @ 250µA
Vgs (Max)

±8V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

SOT-23-6
Serie

-
RDS (Max) @Id, Vgs

40 mOhm @ 4.3A, 4.5V
La disipación de energía (máximo)

1.1W (Ta)
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

SOT-23-6
Otros nombres

ZXMN2B03E6TR
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

20 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

1160pF @ 10V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

14.5nC @ 4.5V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

1.8V, 4.5V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

20V
Descripción detallada

N-Channel 20V 4.3A (Ta) 1.1W (Ta) Surface Mount SOT-23-6
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

4.3A (Ta)

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