Para visitantes en ElectronicA 2024

¡Reserve su tiempo ahora!

Todo lo que se necesita es unos pocos clics para reservar su lugar y obtener el boleto de stand

Hall C5 Booth 220

Registro anticipado

*Nombre de la empresa
*Nombre
*Título

*Dirección de correo electrónico
*Número de teléfono

*País
*Ventana de contacto
*Fecha del evento

*Mensajes

Para visitantes en ElectronicA 2024

¡Están todos registrados! ¡Gracias por hacer una cita!
Le enviaremos los boletos de stand por correo electrónico una vez que hayamos verificado su reserva.

Casa > Productos > Productos semiconductores discretos > Transistores-FETs, MOSFETs-escoja > ZXMN6A08GQTA

RFQs/Orden (0)

español

español

6775626

Imagen ZXMN6A08GQTA

Diodes Incorporated

ZXMN6A08GQTA

Petición de oferta en línea

Complete todos los campos requeridos con su información de contacto. Haga clic en "Enviar RFQ" Nos comunicaremos con usted en breve por correo electrónico.O envíenos un correo electrónico:info@ftcelectronics.com

Precio de Referencia (En Dólares Estadounidenses)

Existencias disponibles

1000+

$0.463

Consulta en línea

Especificaciones

Número de pieza

ZXMN6A08GQTA
Fabricante / Marca

Diodes Incorporated
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 60VSOT223
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

ZXMN6A08GQTA.pdf
VGS (th) (Max) @Id

1V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

SOT-223
Serie

Automotive, AEC-Q101
RDS (Max) @Id, Vgs

80 mOhm @ 4.8A, 10V
La disipación de energía (máximo)

2W (Ta)
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

TO-261-4, TO-261AA
Otros nombres

ZXMN6A08GQTADITR
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

16 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

459pF @ 40V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

5.8nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

60V
Descripción detallada

N-Channel 60V 3.8A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount SOT-223
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

3.8A (Ta)

Noticias relaciondas
Envío
Forma de pago

Se informa que Kioxia recibirá la aprobación de listados ...

La última plataforma óptica de silicio de Tower Semicondu...

La industria se recupera lentamente.El proveedor epitaxial ...

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

The core value and future development trend of passive comp...

Proveedor: una gran cantidad de componentes de la GPU de la...

Taiwán, el valor de salida del semiconductor de China crec...

Ampliando la producción de paneles OLED, LG Display invert...

Amazon aumenta los esfuerzos para crear chips de IA persona...

La ganancia neta del tercer trimestre de Pegatron fue de $ ...

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

Corea del Sur planea promulgar la Ley de Chip para contrarr...

Envío

Pago

Los siguientes son productos relacionados con "ZXMN6A08GQTA".

ZXMN6A09GTA

Descripción: MOSFET N-CH 60V 6.9A SOT223

Fabricantes: Diodes Incorporated

Existencias disponibles

ZXMN6A11DN8TA

Descripción: MOSFET 2N-CH 60V 2.5A 8-SOIC

Fabricantes: Diodes Incorporated

Existencias disponibles

ZXMN6A07ZTA

Descripción: MOSFET N-CH 60V 1.9A SOT-89

Fabricantes: Diodes Incorporated

Existencias disponibles

ZXMN4A06KTC

Descripción: MOSFET N-CH 40V 7.2A DPAK

Fabricantes: Diodes Incorporated

Existencias disponibles

ZXMN6A08GQTC

Descripción: MOSFETN-CH 60VSOT223

Fabricantes: Diodes Incorporated

Existencias disponibles

ZXMN3G32DN8TA

Descripción: MOSFET 2N-CH 30V 5.5A 8SOIC

Fabricantes: Diodes Incorporated

Existencias disponibles

ZXMN6A08KTC

Descripción: MOSFET N-CH 60V 5.36A DPAK

Fabricantes: Diodes Incorporated

Existencias disponibles

ZXMN6A08E6TC

Descripción: MOSFET N-CH 60V 2.8A SOT23-6

Fabricantes: Diodes Incorporated

Existencias disponibles

ZXMN6A08GTA

Descripción: MOSFET N-CH 60V 3.8A SOT223

Fabricantes: Diodes Incorporated

Existencias disponibles

ZXMN6A08E6TA

Descripción: MOSFET N-CH 60V 2.8A SOT23-6

Fabricantes: Diodes Incorporated

Existencias disponibles

ZXMN6A07FTA

Descripción: MOSFET N-CH 60V 1.2A SOT23-3

Fabricantes: Diodes Incorporated

Existencias disponibles

ZXMN6A09KQTC

Descripción: MOSFET N-CH 60V 11.8A TO252

Fabricantes: Diodes Incorporated

Existencias disponibles

ZXMN6A07FTC

Descripción: MOSFET N-CH 60V 1.2A SOT23-3

Fabricantes: Diodes Incorporated

Existencias disponibles

ZXMN6A09DN8TC

Descripción: MOSFET 2N-CH 60V 4.3A 8SOIC

Fabricantes: Diodes Incorporated

Existencias disponibles

ZXMN6A09DN8TA

Descripción: MOSFET 2N-CH 60V 4.3A 8-SOIC

Fabricantes: Diodes Incorporated

Existencias disponibles

ZXMN6A10N8TA

Descripción: MOSFET N-CH 60V 7.6A 8-SOIC

Fabricantes: Diodes Incorporated

Existencias disponibles

ZXMN6A08E6QTA

Descripción: MOSFET N-CH 60V 2.8A SOT23-6

Fabricantes: Diodes Incorporated

Existencias disponibles

ZXMN4A06GTA

Descripción: MOSFET N-CH 40V 5A SOT223

Fabricantes: Diodes Incorporated

Existencias disponibles

ZXMN6A09KTC

Descripción: MOSFET N-CH 60V 11.2A DPAK

Fabricantes: Diodes Incorporated

Existencias disponibles

ZXMN3F31DN8TA

Descripción: MOSFET 2N-CH 30V 5.7A 8SOIC

Fabricantes: Diodes Incorporated

Existencias disponibles

Como el único distribuidor público de mercado abierto, poseemos una combinación única de acceso global, experiencia en la industria manufacturera y calidad probada.Con esto, podemos crear soluciones personalizadas de cadena de suministro de extremo a extremo para el abastecimiento de componentes electrónicos y la gestión de inventario.

¡Síguenos!

Términos y condiciones Política de infracción Solicitar presupuesto Sobre nosotros Contáctenos Mapa del sitio

Seleccione el idioma

Haga clic en el espacio para salir

Idioma actual

Elija su país o región.