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Imagen ZXMN6A11GTC

Diodes Incorporated

ZXMN6A11GTC

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Especificaciones

Número de pieza

ZXMN6A11GTC
Fabricante / Marca

Diodes Incorporated
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 60V 3.1A SOT223
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

ZXMN6A11GTC.pdf
VGS (th) (Max) @Id

1V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

SOT-223
Serie

-
RDS (Max) @Id, Vgs

120 mOhm @ 2.5A, 10V
La disipación de energía (máximo)

2W (Ta)
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

TO-261-4, TO-261AA
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

330pF @ 40V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

5.7nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

60V
Descripción detallada

N-Channel 60V 3.1A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount SOT-223
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

3.1A (Ta)

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