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Imagen ZXMP6A16DN8TC

Diodes Incorporated

ZXMP6A16DN8TC

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Especificaciones

Número de pieza

ZXMP6A16DN8TC
Fabricante / Marca

Diodes Incorporated
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET 2P-CH 60V 2.9A 8-SOIC
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

ZXMP6A16DN8TC.pdf
VGS (th) (Max) @Id

1V @ 250µA (Min)
Paquete del dispositivo

8-SO
Serie

-
RDS (Max) @Id, Vgs

85 mOhm @ 2.9A, 10V
Potencia - Max

1.25W
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

20 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

1021pF @ 30V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

24.2nC @ 10V
Tipo FET

2 P-Channel (Dual)
Característica de FET

Standard
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

60V
Descripción detallada

Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 60V 2.9A 1.25W Surface Mount 8-SO
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

2.9A

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