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Casa > Productos > Productos semiconductores discretos > Transistores-bipolar (BJT)-matrices > ZXT12P12DXTC

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Imagen ZXT12P12DXTC

Diodes Incorporated

ZXT12P12DXTC

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Especificaciones

Número de pieza

ZXT12P12DXTC
Fabricante / Marca

Diodes Incorporated
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

TRANS 2PNP 12V 3A 8MSOP
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

ZXT12P12DXTC.pdf
Tensión - Colector-emisor (máx)

12V
VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic

270mV @ 30mA, 3A
Tipo de transistor

2 PNP (Dual)
Paquete del dispositivo

8-MSOP
Serie

-
Potencia - Max

1.04W
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Frecuencia - Transición

85MHz
Descripción detallada

Bipolar (BJT) Transistor Array 2 PNP (Dual) 12V 3A 85MHz 1.04W Surface Mount 8-MSOP
DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce

300 @ 1A, 2V
Corriente - corte del colector (Max)

100nA
Corriente - colector (Ic) (Max)

3A
Número de pieza base

ZXT12P12D

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