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Imagen ZXTDE4M832TA

Diodes Incorporated

ZXTDE4M832TA

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Especificaciones

Número de pieza

ZXTDE4M832TA
Fabricante / Marca

Diodes Incorporated
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

TRANS NPN/PNP 80V/70V 8MLP
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

ZXTDE4M832TA.pdf
Tensión - Colector-emisor (máx)

80V, 70V
VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic

325mV @ 300mA, 3.5A / 260mV @ 200mA, 1.5A
Tipo de transistor

NPN, PNP
Paquete del dispositivo

8-MLP (3x2)
Serie

-
Potencia - Max

1W
embalaje

Cut Tape (CT)
Paquete / Cubierta

8-VDFN Exposed Pad
Otros nombres

ZXTDE4M832TACT
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Frecuencia - Transición

160MHz, 180MHz
Descripción detallada

Bipolar (BJT) Transistor Array NPN, PNP 80V, 70V 3.5A, 2.5A 160MHz, 180MHz 1W Surface Mount 8-MLP (3x2)
DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce

300 @ 200mA, 2V / 40 @ 1.5A, 5V
Corriente - corte del colector (Max)

25nA
Corriente - colector (Ic) (Max)

3.5A, 2.5A
Número de pieza base

ZXTDE4M832

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