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Casa > Productos > Productos semiconductores discretos > Transistores bipolares (BJT)-Single > ZXTN25100DGQTA

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5200569

Imagen ZXTN25100DGQTA

Diodes Incorporated

ZXTN25100DGQTA

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Especificaciones

Número de pieza

ZXTN25100DGQTA
Fabricante / Marca

Diodes Incorporated
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

IC PWR TRANSISTOR SOT223
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Contiene plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

ZXTN25100DGQTA.pdf
Tensión - Colector-emisor (máx)

100V
VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic

500mV @ 600mA, 3A
Tipo de transistor

NPN
Paquete del dispositivo

SOT-223
Serie

-
Potencia - Max

1.2W
embalaje

Cut Tape (CT)
Paquete / Cubierta

TO-261-4, TO-261AA
Otros nombres

ZXTN25100DGQTADICT
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

16 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Contains lead / RoHS Compliant
Frecuencia - Transición

175MHz
Descripción detallada

Bipolar (BJT) Transistor NPN 100V 3A 175MHz 1.2W Surface Mount SOT-223
DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce

300 @ 10mA, 2V
Corriente - corte del colector (Max)

50nA (ICBO)
Corriente - colector (Ic) (Max)

3A

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