2N7002E-T1-GE3

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Especificaciones

Número de pieza

2N7002E-T1-GE3
Fabricante / Marca

Electro-Films (EFI) / Vishay
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 60V 240MA SOT23
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

2N7002E-T1-GE3.pdf
VGS (th) (Max) @Id

2.5V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Serie

-
RDS (Max) @Id, Vgs

3 Ohm @ 250mA, 10V
La disipación de energía (máximo)

350mW (Ta)
embalaje

Cut Tape (CT)
Paquete / Cubierta

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Otros nombres

2N7002E-T1-GE3CT
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

33 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

21pF @ 5V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

0.6nC @ 4.5V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

60V
Descripción detallada

N-Channel 60V 240mA (Ta) 350mW (Ta) Surface Mount
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

240mA (Ta)

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