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1939019Imagen AS4PD-M3/87AElectro-Films (EFI) / Vishay

AS4PD-M3/87A

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Especificaciones
  • Número de pieza
    AS4PD-M3/87A
  • Fabricante / Marca
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    DIODE AVALANCHE 200V 2.4A TO277A
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
  • Tensión - directo (Vf) (Max) Si @
    962mV @ 2A
  • Voltaje - Inverso (Vr) (máx)
    200V
  • Paquete del dispositivo
    TO-277A (SMPC)
  • Velocidad
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Serie
    eSMP®
  • Tiempo de recuperación inversa (trr)
    1.8µs
  • embalaje
    Tape & Reel (TR)
  • Paquete / Cubierta
    TO-277, 3-PowerDFN
  • Temperatura de funcionamiento - Junction
    -55°C ~ 175°C
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tiempo de entrega estándar del fabricante
    44 Weeks
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Tipo de diodo
    Avalanche
  • Descripción detallada
    Diode Avalanche 200V 2.4A (DC) Surface Mount TO-277A (SMPC)
  • Corriente - Fuga inversa a Vr
    10µA @ 200V
  • Corriente - rectificada media (Io)
    2.4A (DC)
  • Capacitancia Vr, F
    60pF @ 4V, 1MHz
  • Número de pieza base
    AS4PD
AS4PDHM3/87A

AS4PDHM3/87A

Descripción: DIODE AVALANCHE 200V 2.4A TO277A

Fabricantes: Vishay Semiconductor Diodes Division
Existencias disponibles
AS4PDHM3_A/H

AS4PDHM3_A/H

Descripción: DIODE AVALANCHE 200V 2.4A TO277A

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
Existencias disponibles
AS4C8M32S-7BCN

AS4C8M32S-7BCN

Descripción: IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA

Fabricantes: Alliance Memory, Inc.
Existencias disponibles
AS4PGHM3/87A

AS4PGHM3/87A

Descripción: DIODE AVALANCHE 400V 2.4A TO277A

Fabricantes: Vishay Semiconductor Diodes Division
Existencias disponibles
AS4C8M32SA-6BIN

AS4C8M32SA-6BIN

Descripción: IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA

Fabricantes: Alliance Memory, Inc.
Existencias disponibles
AS4PDHM3/86A

AS4PDHM3/86A

Descripción: DIODE AVALANCHE 200V 2.4A TO277A

Fabricantes: Vishay Semiconductor Diodes Division
Existencias disponibles
AS4PGHM3_A/I

AS4PGHM3_A/I

Descripción: DIODE AVALANCHE 400V 2.4A TO277A

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
Existencias disponibles
AS4PGHM3_A/H

AS4PGHM3_A/H

Descripción: DIODE AVALANCHE 400V 2.4A TO277A

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
Existencias disponibles
AS4C8M32SA-7BCN

AS4C8M32SA-7BCN

Descripción: IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA

Fabricantes: Alliance Memory, Inc.
Existencias disponibles
AS4C8M32S-7TCN

AS4C8M32S-7TCN

Descripción: IC DRAM 256M PARALLEL 86TSOP II

Fabricantes: Alliance Memory, Inc.
Existencias disponibles
AS4C8M32S-7BCNTR

AS4C8M32S-7BCNTR

Descripción: IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA

Fabricantes: Alliance Memory, Inc.
Existencias disponibles
AS4C8M32SA-6BINTR

AS4C8M32SA-6BINTR

Descripción: IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA

Fabricantes: Alliance Memory, Inc.
Existencias disponibles
AS4C8M32S-7TCNTR

AS4C8M32S-7TCNTR

Descripción: IC DRAM 256M PARALLEL 86TSOP II

Fabricantes: Alliance Memory, Inc.
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AS4PGHM3/86A

AS4PGHM3/86A

Descripción: DIODE AVALANCHE 400V 2.4A TO277A

Fabricantes: Vishay Semiconductor Diodes Division
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AS4PD-M3/86A

AS4PD-M3/86A

Descripción: DIODE AVALANCHE 200V 2.4A TO277A

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
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AS4PG-M3/87A

AS4PG-M3/87A

Descripción: DIODE AVALANCHE 400V 2.4A TO277A

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
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AS4PG-M3/86A

AS4PG-M3/86A

Descripción: DIODE AVALANCHE 400V 2.4A TO277A

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AS4PDHM3_A/I

AS4PDHM3_A/I

Descripción: DIODE AVALANCHE 200V 2.4A TO277A

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
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AS4C8M32SA-7BCNTR

AS4C8M32SA-7BCNTR

Descripción: IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA

Fabricantes: Alliance Memory, Inc.
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AS4C8M32S-6TINTR

AS4C8M32S-6TINTR

Descripción: IC DRAM 256M PARALLEL 86TSOP II

Fabricantes: Alliance Memory, Inc.
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