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BYM11-1000HE3_A/I

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Especificaciones
  • Número de pieza
    BYM11-1000HE3_A/I
  • Fabricante / Marca
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    DIODE GEN PURP 1KV 1A DO213AB
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    BYM11-1000HE3_A/I.pdf
  • Tensión - directo (Vf) (Max) Si @
    1.3V @ 1A
  • Voltaje - Inverso (Vr) (máx)
    1000V
  • Paquete del dispositivo
    DO-213AB
  • Velocidad
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Serie
    Automotive, AEC-Q101, Superectifier®
  • Tiempo de recuperación inversa (trr)
    500ns
  • Paquete / Cubierta
    DO-213AB, MELF (Glass)
  • Temperatura de funcionamiento - Junction
    -65°C ~ 175°C
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Tiempo de entrega estándar del fabricante
    35 Weeks
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Tipo de diodo
    Standard
  • Descripción detallada
    Diode Standard 1000V 1A Surface Mount DO-213AB
  • Corriente - Fuga inversa a Vr
    5µA @ 1000V
  • Corriente - rectificada media (Io)
    1A
  • Capacitancia Vr, F
    15pF @ 4V, 1MHz

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Descripción: DIODE GEN PURP 200V 1A DO213AB

Fabricantes: Vishay Semiconductor Diodes Division
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RFQ
BYM11-100HE3/97

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Descripción: DIODE GEN PURP 100V 1A DO213AB

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
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Descripción: DIODE GEN PURP 100V 1A DO213AB

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Descripción: DIODE GEN PURP 400V 1A DO213AB

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Descripción: DIODE GEN PURP 1KV 1A DO213AB

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Descripción: DIODE GEN PURP 400V 1A DO213AB

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
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Descripción: DIODE GEN PURP 200V 1A DO213AB

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Descripción: DIODE GEN PURP 1KV 1A DO213AB

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
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Descripción: DIODE GEN PURP 400V 1A DO213AB

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Descripción: DIODE GEN PURP 400V 1A DO213AB

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
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BYM10-800HE3/96

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Descripción: DIODE GEN PURP 800V 1A DO213AB

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
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Descripción: DIODE GEN PURP 800V 1A DO213AB

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