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CS3M-E3/H

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Especificaciones
  • Número de pieza
    CS3M-E3/H
  • Fabricante / Marca
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    DIODE GEN PURP 1KV 3A DO214AB
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
  • Especificaciones
    CS3M-E3/H.pdf
  • Tensión - directo (Vf) (Max) Si @
    1.2V @ 3A
  • Voltaje - Inverso (Vr) (máx)
    1000V
  • Paquete del dispositivo
    DO-214AB (SMC)
  • Velocidad
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Serie
    -
  • Tiempo de recuperación inversa (trr)
    2.8µs
  • Paquete / Cubierta
    DO-214AB, SMC
  • Temperatura de funcionamiento - Junction
    -55°C ~ 150°C
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Tiempo de entrega estándar del fabricante
    28 Weeks
  • Tipo de diodo
    Standard
  • Descripción detallada
    Diode Standard 1000V 3A Surface Mount DO-214AB (SMC)
  • Corriente - Fuga inversa a Vr
    10µA @ 1000V
  • Corriente - rectificada media (Io)
    3A
  • Capacitancia Vr, F
    26pF @ 4V, 1MHz

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Descripción: RES 0.02 OHM 3W 1% 4SIP

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Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
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Descripción: DIODE GPP 800V 2A DO-214AB SMC

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Descripción: DIODE GEN PURP 800V 3A DO214AB

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
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Descripción: RES 0.036 OHM 3W 1% 4SIP

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Descripción: DIODE GEN PURP 400V 3A DO214AB

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Descripción: RES 0.002 OHM 3W 1% 4SIP

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Descripción: DIODE GPP 1000V 3.0A DO-214AB

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Descripción: DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AB

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Descripción: RES 0.03 OHM 3W 1% 4SIP

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Descripción: RES 0.025 OHM 3W 1% 4SIP

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Descripción: RES 0.005 OHM 3W 1% 4SIP

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Descripción: RES 0.01 OHM 3W 1% 4SIP

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Descripción: RES 0.06 OHM 3W 1% 4SIP

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Descripción: RES 0.015 OHM 3W 1% 4SIP

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