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Casa > Productos > Productos semiconductores discretos > Diodos-rectificadores-Single > ESH1BHE3_A/I
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ESH1BHE3_A/I

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Especificaciones
  • Número de pieza
    ESH1BHE3_A/I
  • Fabricante / Marca
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
  • Tensión - directo (Vf) (Max) Si @
    900mV @ 1A
  • Voltaje - Inverso (Vr) (máx)
    100V
  • Paquete del dispositivo
    DO-214AC (SMA)
  • Velocidad
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Serie
    Automotive, AEC-Q101
  • Tiempo de recuperación inversa (trr)
    25ns
  • Paquete / Cubierta
    DO-214AC, SMA
  • Temperatura de funcionamiento - Junction
    -55°C ~ 175°C
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Tipo de diodo
    Standard
  • Descripción detallada
    Diode Standard 100V 1A Surface Mount DO-214AC (SMA)
  • Corriente - Fuga inversa a Vr
    1µA @ 100V
  • Corriente - rectificada media (Io)
    1A
  • Capacitancia Vr, F
    25pF @ 4V, 1MHz
ESH1B-E3/61T

ESH1B-E3/61T

Descripción: DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
Existencias disponibles
ESH1D-M3/61T

ESH1D-M3/61T

Descripción: DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
Existencias disponibles
ESH1D M2G

ESH1D M2G

Descripción: DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC

Fabricantes: TSC (Taiwan Semiconductor)
Existencias disponibles
ESH1C M2G

ESH1C M2G

Descripción: DIODE GEN PURP 150V 1A DO214AC

Fabricantes: TSC (Taiwan Semiconductor)
Existencias disponibles
ESH1B M2G

ESH1B M2G

Descripción: DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC

Fabricantes: TSC (Taiwan Semiconductor)
Existencias disponibles
ESH1DHE3/5AT

ESH1DHE3/5AT

Descripción: DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
Existencias disponibles
ESH1BHE3_A/H

ESH1BHE3_A/H

Descripción: DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
Existencias disponibles
ESH108M6R3AH1AA

ESH108M6R3AH1AA

Descripción: CAP ALUM 1000UF 20% 6.3V RADIAL

Fabricantes: KEMET
Existencias disponibles
ESH1B-E3/5AT

ESH1B-E3/5AT

Descripción: DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
Existencias disponibles
ESH1D R3G

ESH1D R3G

Descripción: DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC

Fabricantes: TSC (Taiwan Semiconductor)
Existencias disponibles
ESH1C-E3/5AT

ESH1C-E3/5AT

Descripción: DIODE GEN PURP 150V 1A DO214AC

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
Existencias disponibles
ESH1B R3G

ESH1B R3G

Descripción: DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC

Fabricantes: TSC (Taiwan Semiconductor)
Existencias disponibles
ESH1C R3G

ESH1C R3G

Descripción: DIODE GEN PURP 150V 1A DO214AC

Fabricantes: TSC (Taiwan Semiconductor)
Existencias disponibles
ESH157M450AN7AA

ESH157M450AN7AA

Descripción: CAP ALUM 150UF 20% 450V T/H

Fabricantes: KEMET
Existencias disponibles
ESH158M035AM7AA

ESH158M035AM7AA

Descripción: CAP ALUM 1500UF 20% 35V RADIAL

Fabricantes: KEMET
Existencias disponibles
ESH1B-M3/61T

ESH1B-M3/61T

Descripción: DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
Existencias disponibles
ESH1D-M3/5AT

ESH1D-M3/5AT

Descripción: DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
Existencias disponibles
ESH1C-E3/61T

ESH1C-E3/61T

Descripción: DIODE GEN PURP 150V 1A DO214AC

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
Existencias disponibles
ESH1B-M3/5AT

ESH1B-M3/5AT

Descripción: DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
Existencias disponibles
ESH1D-E3/61T

ESH1D-E3/61T

Descripción: DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
Existencias disponibles

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