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Casa > Productos > Productos semiconductores discretos > Diodos-puentes rectificadores > GBL005-E3/45
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5280491Imagen GBL005-E3/45Electro-Films (EFI) / Vishay

GBL005-E3/45

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Especificaciones
  • Número de pieza
    GBL005-E3/45
  • Fabricante / Marca
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    DIODE GPP 1PH 4A 50V GBL
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
  • Tensión - inversa de pico (máxima)
    50V
  • Tensión - directo (Vf) (Max) Si @
    1.1V @ 4A
  • Tecnología
    Standard
  • Paquete del dispositivo
    GBL
  • Serie
    -
  • embalaje
    Tube
  • Paquete / Cubierta
    4-SIP, GBL
  • Temperatura de funcionamiento
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo de montaje
    Through Hole
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tiempo de entrega estándar del fabricante
    46 Weeks
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Tipo de diodo
    Single Phase
  • Descripción detallada
    Bridge Rectifier Single Phase Standard 50V Through Hole GBL
  • Corriente - Fuga inversa a Vr
    5µA @ 50V
  • Corriente - rectificada media (Io)
    3A
GBL01-M3/45

GBL01-M3/45

Descripción: BRIDGE RECT 4A GPP 100V GBL

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
Existencias disponibles
GBL02

GBL02

Descripción: DIODE BRIDGE 200V 4 A- GBL

Fabricantes: GeneSiC Semiconductor
Existencias disponibles
GBL02-M3/45

GBL02-M3/45

Descripción: BRIDGE RECT 4A GPP 200V GBL

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
Existencias disponibles
GBL01HD2G

GBL01HD2G

Descripción: BRIDGE RECT 1PHASE 100V 4A GBL

Fabricantes: TSC (Taiwan Semiconductor)
Existencias disponibles
GBL005HD2G

GBL005HD2G

Descripción: BRIDGE RECT 1PHASE 50V 4A GBL

Fabricantes: TSC (Taiwan Semiconductor)
Existencias disponibles
GBL005-E3/51

GBL005-E3/51

Descripción: DIODE GPP 1PH 4A 50V GBL

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
Existencias disponibles
GBL02HD2G

GBL02HD2G

Descripción: BRIDGE RECT 1PHASE 200V 4A GBL

Fabricantes: TSC (Taiwan Semiconductor)
Existencias disponibles
GBL005 D2G

GBL005 D2G

Descripción: BRIDGE RECT 1PHASE 50V 4A GBL

Fabricantes: TSC (Taiwan Semiconductor)
Existencias disponibles
GBL005

GBL005

Descripción: DIODE BRIDGE 50V 4A GBL

Fabricantes: GeneSiC Semiconductor
Existencias disponibles
GBL02-E3/51

GBL02-E3/51

Descripción: DIODE GPP 1PH 4A 200V GBL

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
Existencias disponibles
GBL01/1

GBL01/1

Descripción: RECTIFIER BRIDGE 4A 100V GBL

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
Existencias disponibles
GBL02 D2G

GBL02 D2G

Descripción: BRIDGE RECT 1PHASE 200V 4A GBL

Fabricantes: TSC (Taiwan Semiconductor)
Existencias disponibles
GBL04

GBL04

Descripción: DIODE BRIDGE 400V 4A GBL

Fabricantes: GeneSiC Semiconductor
Existencias disponibles
GBL02-M3/51

GBL02-M3/51

Descripción: BRIDGE RECT 4A GPP 200V GBL

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
Existencias disponibles
GBL01-E3/45

GBL01-E3/45

Descripción: DIODE GPP 1PH 4A 100V GBL

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
Existencias disponibles
GBL02-E3/45

GBL02-E3/45

Descripción: DIODE GPP 1PH 4A 200V GBL

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
Existencias disponibles
GBL01-E3/51

GBL01-E3/51

Descripción: DIODE GPP 1PH 4A 100V GBL

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
Existencias disponibles
GBL01 D2G

GBL01 D2G

Descripción: BRIDGE RECT 1PHASE 100V 4A GBL

Fabricantes: TSC (Taiwan Semiconductor)
Existencias disponibles
GBL01-M3/51

GBL01-M3/51

Descripción: BRIDGE RECT 4A GPP 100V GBL

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
Existencias disponibles
GBL01

GBL01

Descripción: DIODE BRIDGE 100V 4A GBL

Fabricantes: GeneSiC Semiconductor
Existencias disponibles

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