GBL10-M3/45

Petición de oferta en línea

Complete todos los campos requeridos con su información de contacto. Haga clic en "Enviar RFQ" Nos comunicaremos con usted en breve por correo electrónico.O envíenos un correo electrónico:info@ftcelectronics.com

Precio de Referencia (En Dólares Estadounidenses)

Existencias disponibles

4000+

$0.654

Consulta en línea

Especificaciones

Número de pieza

GBL10-M3/45
Fabricante / Marca

Electro-Films (EFI) / Vishay
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

BRIDGE RECT 4A GPP 1000V GBL
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

GBL10-M3/45.pdf
Tensión - inversa de pico (máxima)

1kV
Tensión - directo (Vf) (Max) Si @

1.1V @ 4A
Tecnología

Standard
Paquete del dispositivo

GBL
Serie

-
embalaje

Tube
Paquete / Cubierta

4-SIP, GBL
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

46 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Tipo de diodo

Single Phase
Descripción detallada

Bridge Rectifier Single Phase Standard 1kV Through Hole GBL
Corriente - Fuga inversa a Vr

5µA @ 1000V
Corriente - rectificada media (Io)

4A

Los siguientes son productos relacionados con "GBL10-M3/45".

GBL10 D2G

Descripción: BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 4A GBL

Fabricantes: TSC (Taiwan Semiconductor)

Existencias disponibles

RFQ

GBL202HD2G

Descripción: BRIDGE RECT 1PHASE 100V 2A GBL

Fabricantes: TSC (Taiwan Semiconductor)

Existencias disponibles

RFQ

GBL08-E3/51

Descripción: DIODE GPP 1PH 4A 800V GBL

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay

Existencias disponibles

RFQ

GBL08-M3/51

Descripción: BRIDGE RECT 4A GPP 800V GBL

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay

Existencias disponibles

RFQ

GBL08HD2G

Descripción: BRIDGE RECT 1PHASE 800V 4A GBL

Fabricantes: TSC (Taiwan Semiconductor)

Existencias disponibles

RFQ

GBL10-E3/51

Descripción: DIODE GPP 1PH 4A 1000V GBL

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay

Existencias disponibles

RFQ

GBL10

Descripción: DIODE BRIDGE 1000V 4A GBL

Fabricantes: GeneSiC Semiconductor

Existencias disponibles

RFQ

GBL10-E3/45

Descripción: DIODE GPP 1PH 4A 1000V GBL

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay

Existencias disponibles

RFQ

GBL201HD2G

Descripción: BRIDGE RECT 1PHASE 50V 2A GBL

Fabricantes: TSC (Taiwan Semiconductor)

Existencias disponibles

RFQ

GBL201 D2G

Descripción: BRIDGE RECT 1PHASE 50V 2A GBL

Fabricantes: TSC (Taiwan Semiconductor)

Existencias disponibles

RFQ

GBL203HD2G

Descripción: BRIDGE RECT 1PHASE 200V 2A GBL

Fabricantes: TSC (Taiwan Semiconductor)

Existencias disponibles

RFQ

GBL08-E3/45

Descripción: DIODE GPP 1PH 4A 800V GBL

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay

Existencias disponibles

RFQ

GBL203 D2G

Descripción: BRIDGE RECT 1PHASE 200V 2A GBL

Fabricantes: TSC (Taiwan Semiconductor)

Existencias disponibles

RFQ

GBL10HD2G

Descripción: BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 4A GBL

Fabricantes: TSC (Taiwan Semiconductor)

Existencias disponibles

RFQ

GBL202 D2G

Descripción: BRIDGE RECT 1PHASE 100V 2A GBL

Fabricantes: TSC (Taiwan Semiconductor)

Existencias disponibles

RFQ

GBL10-M3/51

Descripción: BRIDGE RECT 4A GPP 1000V GBL

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay

Existencias disponibles

RFQ

GBL204HD2G

Descripción: BRIDGE RECT 1PHASE 400V 2A GBL

Fabricantes: TSC (Taiwan Semiconductor)

Existencias disponibles

RFQ

GBL08-M3/45

Descripción: BRIDGE RECT 4A GPP 800V GBL

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay

Existencias disponibles

RFQ

GBL08-G

Descripción: RECTIFIER BRIDGE 4.0A 800V 2GBJ

Fabricantes: Comchip Technology

Existencias disponibles

RFQ

GBL204 D2G

Descripción: BRIDGE RECT 1PHASE 400V 2A GBL

Fabricantes: TSC (Taiwan Semiconductor)

Existencias disponibles

RFQ

¡Reserve su tiempo ahora!

Todo lo que se necesita es unos pocos clics para reservar su lugar y obtener el boleto de stand

Registro anticipado

GBL10-M3/45

Petición de oferta en línea

Precio de Referencia (En Dólares Estadounidenses)

Se informa que Kioxia recibirá la aprobación de listados ...

La última plataforma óptica de silicio de Tower Semicondu...

La industria se recupera lentamente.El proveedor epitaxial ...

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

The core value and future development trend of passive comp...

Proveedor: una gran cantidad de componentes de la GPU de la...

Taiwán, el valor de salida del semiconductor de China crec...

Ampliando la producción de paneles OLED, LG Display invert...

Amazon aumenta los esfuerzos para crear chips de IA persona...

La ganancia neta del tercer trimestre de Pegatron fue de $ ...

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

Corea del Sur planea promulgar la Ley de Chip para contrarr...

GBL10 D2G

GBL202HD2G

GBL08-E3/51

GBL08-M3/51

GBL08HD2G

GBL10-E3/51

GBL10

GBL10-E3/45

GBL201HD2G

GBL201 D2G

GBL203HD2G

GBL08-E3/45

GBL203 D2G

GBL10HD2G

GBL202 D2G

GBL10-M3/51

GBL204HD2G

GBL08-M3/45

GBL08-G

GBL204 D2G

Seleccione el idioma

Idioma actual